使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅電能質(zhì)量裝置SVG及APF！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級(jí)傳統(tǒng)IGBT電能質(zhì)量裝置SVG及APF，實(shí)現(xiàn)更高的電能質(zhì)量裝置SVG及APF補(bǔ)償無(wú)功與治理諧波質(zhì)量！更小的電能質(zhì)量SVG及APF裝置體積重量！更低的電能質(zhì)量SVG及APF裝置成本！

 

隨著銅價(jià)暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn)，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機(jī)重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代，未來(lái)已來(lái)！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！

 

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

 

 

基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊適用于各類電能質(zhì)量裝置SVG及APF，比如加強(qiáng)型靜止無(wú)功發(fā)生器 (SVG+)，有源電力濾波器 (APF)等。

 

無(wú)功發(fā)生器SVG電網(wǎng)無(wú)功補(bǔ)償：響應(yīng)電網(wǎng)調(diào)度AVC指令，提供無(wú)功支撐；提高功率因數(shù)：監(jiān)測(cè)考核點(diǎn)功率因數(shù)，通過(guò)容性無(wú)功功率與感性無(wú)功功率相互抵消的原理，實(shí)現(xiàn)無(wú)功補(bǔ)償，提高功率因數(shù)；穩(wěn)定電網(wǎng)電壓：監(jiān)測(cè)電網(wǎng)電壓，容性輸出抬高系統(tǒng)電壓和感性輸出拉低系統(tǒng)電壓等方式，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定電網(wǎng)電壓；諧波治理：監(jiān)測(cè)負(fù)載電流，提取負(fù)載電流的諧波成分，控制SVG輸出諧波電流大小相等、方向相反的諧波電流注入到電網(wǎng)中，實(shí)現(xiàn)諧波治理；三相不平衡補(bǔ)償：監(jiān)測(cè)負(fù)載電流，利用對(duì)稱分量法將負(fù)荷電流分解成正序分量和負(fù)序分量，控制SVG發(fā)出負(fù)序電流大小相等方向相反的電流注入電網(wǎng)，實(shí)現(xiàn)三相不平衡補(bǔ)償；電壓波動(dòng)與閃變治理：監(jiān)測(cè)電網(wǎng)電壓波動(dòng)，快速響應(yīng)無(wú)功支撐，實(shí)現(xiàn)電壓波動(dòng)與閃變治理。

有源電力濾波器APF通過(guò)采集電流諧波，對(duì)網(wǎng)側(cè)諧波進(jìn)行傅立葉分解，確定各次的諧波分量情況，以最快速度發(fā)出電流命令，并通過(guò)功率執(zhí)行器件產(chǎn)生與諧波源諧波電流方向相反幅值相等的補(bǔ)償諧波電流，并注入系統(tǒng)，達(dá)到抵消非線性負(fù)荷所產(chǎn)生的諧波電流。不但可隔離和消除來(lái)自負(fù)載側(cè)的諧波電流，進(jìn)而消除因諧波電流耦合在線路上的諧波電壓，減少電流和電壓諧波干擾帶來(lái)的危害。此外，系統(tǒng)還可針對(duì)無(wú)功和三相不平衡發(fā)出相應(yīng)的工頻電流，與系統(tǒng)中存在的無(wú)功電流和不平衡電流進(jìn)行疊加，消除系統(tǒng)的無(wú)功和不平衡電流，達(dá)到綜合電能質(zhì)量治理的目的。

傳統(tǒng)的靜止無(wú)功發(fā)生器(SVG)有源電力濾波器 (APF)通常采用IGBT作為功率器件，其IGBT開關(guān)損耗大、IGBT開關(guān)頻率較低，輸出濾波器和散熱器體積較大，限制了其功率密度和效率的提高。基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊的開關(guān)頻率可達(dá)IGBT的兩倍以上，且能承受更高的結(jié)溫，使SVG及APF器件的效率和功率密度可進(jìn)一步提高。從SVG及APF拓?fù)洹㈤_關(guān)頻率、功率器件損耗、器件成本、濾波器、散熱器等角度對(duì)SVG及APF進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊的SVG及APF，采用兩電平交錯(cuò)式作為功率拓?fù)洌捎脝坞姼袨V波器作為濾波器，其等效開關(guān)頻率可達(dá)100 kHz。基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊為常規(guī)IGBT電能質(zhì)量裝置的一半左右，功率密度為1.35kVar/L，是常規(guī)常規(guī)IGBT電能質(zhì)量裝置的兩倍左右；樣機(jī)峰值效率高達(dá)99.2%，滿載效率最高可達(dá)99%。

 

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來(lái)越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來(lái)越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗，從而提高開關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應(yīng)的損耗會(huì)下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過(guò)采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guān)頻率提5倍（實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時(shí)保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。

 

為了保持電力電子系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對(duì)成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級(jí)IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢(shì)。

 

傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™單管SiC碳化硅MOSFET，BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™I型三電平IGBT模塊，BASiC基本™T型SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™混合SiC-IGBT單管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350，單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片（帶VCE保護(hù)）BTD3011,BASiC基本™混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器，戶用光儲(chǔ)一體機(jī)，儲(chǔ)能變流器，儲(chǔ)能PCS,雙向LLC電源模塊，儲(chǔ)能PCS-Buck-Boost電路，光儲(chǔ)一體機(jī),PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī)、儲(chǔ)能變流器PCS、OBC車載充電器，熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)器，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動(dòng)，大功率工業(yè)電源，工商業(yè)儲(chǔ)能變流器，變頻器，變槳伺服驅(qū)動(dòng)輔助電源，高頻逆變焊機(jī)，高頻伺服驅(qū)動(dòng)，AI服務(wù)器電源，算力電源，數(shù)據(jù)中心電源，機(jī)房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作，傾佳電子（Changer Tech）全力支持中國(guó)電力電子工業(yè)發(fā)展！

 

傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN，驅(qū)動(dòng)IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢(shì)場(chǎng)景下，融合數(shù)字技術(shù)、電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)和儲(chǔ)能管理技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網(wǎng)、荷、儲(chǔ)、車”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子（Changer Tech）-以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向，將不斷創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品，堅(jiān)定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手，積極參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創(chuàng)新型車規(guī)級(jí)互聯(lián)產(chǎn)品，包括線對(duì)板、板對(duì)板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級(jí)充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級(jí)超快速充電站的高能效電源連接器，用于地下無(wú)線充電的IP67級(jí)密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向的各類功率半導(dǎo)體器件：車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅(qū)動(dòng)SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機(jī)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲(chǔ)能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，國(guó)產(chǎn)氮化鎵GaN，隔離驅(qū)動(dòng)IC等產(chǎn)品，傾佳電子（Changer Tech）全面服務(wù)于中國(guó)新能源汽車行業(yè)，新能源汽車電控系統(tǒng)，電力電子裝備，新能源汽車充電樁系統(tǒng)，全液冷超充，高功率密度風(fēng)冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標(biāo)充電樁，車載DCDC模塊，國(guó)網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲(chǔ)變流器，分布式能源、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡(luò)、V2X、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲(chǔ)，智能組串式儲(chǔ)能等行業(yè)應(yīng)用，傾佳電子（Changer Tech）為實(shí)現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡(luò)、零碳家庭等新能源發(fā)展目標(biāo)奮斗，從而為實(shí)現(xiàn)一個(gè)零碳地球做出貢獻(xiàn)，邁向數(shù)字能源新時(shí)代！Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon homes, thereby contributing to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!