使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅伺服驅動器！-傾佳電子（Changer Tech）專業分銷

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統IGBT伺服驅動器，實現更高的伺服驅動器性能和效率！更小的伺服驅動體積和重量！更低的伺服驅動器成本！

 

隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統綜合成本（電感磁性元件，散熱系統，整機重量），電力電子系統的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！

 

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

 

 

基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊適用于各類伺服驅動器，比如機器人、數控機械或工業自動化等應用。

 

伺服驅動器是一類通過控制伺服電機電磁場將電能轉化為機械能，達到對伺服電機及負載進行精確的轉矩、速度、位置閉環控制的設備。永磁同步電機（Permanent Magnetic Synchronous Motor， PMSM）是一種性能優越且應用廣泛的伺服電機類型。使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造的全SiC碳化硅伺服驅動器降低耗電量，讓工業生產更加環保、可持續。

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造的全SiC碳化硅伺服驅動器實現更高功率密度，通過比IGBT更小的器件達到相同性能，來實現更經濟的伺服電機設計。

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造的全SiC碳化硅伺服驅動器實現更緊湊、更省空間的電機設計，減少材料消耗，降低散熱需求。

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造的全SiC碳化硅伺服驅動器擁有更長使用壽命，且不易出故障，使得制造商能夠提供更長的保修期。

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊代替 IGBT 作為逆變器的核心功率器件進行集成伺服電機設計。與 IGBT 相比，基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊具有非常低的開關損耗和低傳導損耗。基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊可以位于電機外殼內，并可以通過自冷卻金屬外殼實現相當大的功率輸出。

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造的伺服驅動器堵轉工況的電流控制、結溫控制，是可以進行計算和仿真，給出計算和仿真數據給控制系統，作為限流控制、保護邏輯的設計參考，基本公司可以提供這項服務。使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造的伺服驅動器堵轉工作的大致過程是，伺服電機在堵轉時候，位置信號不變，逆變器的輸出角度不再變化，此時會出現逆變器三相輸出都是直流的情況，此時不產生旋轉磁場，伺服電機的繞組感抗為0，只有線路電阻存在（電阻非常小，一般毫歐級），如果還是按照比較大的占空比去控制，就會在三相之間產生非常大的堵轉電流。這時候從控制角度，就要控制上下管占空比接近0.5，避免過大的電流產生。

所以，從控制角度，1、一定要嚴格控制好堵轉時刻的占空比，根據輸出電流檢測反饋實時調節，避免過大電流引起基本公司SiC碳化硅MOSFET過熱損傷。2、輸出過流保護要加上，因為相間過流近似二類短路，不一定會使基本公司SiC碳化硅MOSFET完全退飽和，需要通過輸出電流傳感器檢測電流進行過流比較判斷，封鎖脈沖。3、驅動芯片退飽和檢測和保護功能是必須要加上的，短路保護全響應時間根據基本公司SiC碳化硅MOSFET的短路耐受能量設計。

 

IGBT芯片技術不斷發展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現顯著的濾波器優化），同時保持最高結溫低于最大規定值。

 

為了保持電力電子系統競爭優勢，同時也為了使最終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優勢所在。隨著IGBT技術到達發展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為各類型電力電子應用的主流趨勢。

 

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